Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications - Topics in Applied Physics - - Knjige - Springer - 9789402414165 - 15. junija 2018
Če se naslovnica in naslov ne ujemata, je naslov pravilen

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications - Topics in Applied Physics Softcover reprint of the original 1st ed. 2016 edition

Prejmite e-pošto, ko bo izdelek na voljo
Do you have a profile? Prijava

Kaj pravijo naše stranke:

14-dnevna politika vračila v skladu z evropsko zakonodajo o varstvu potrošnikov
Najvišja ocena na Trustpilot
Dodaj na svoj seznam želja iMusic

Not rated yet

Na voljo tudi kot:

347 pages, 159 Tables, color; 150 Illustrations, color; 104 Illustrations, black and white; XVIII, 3

Medij Knjige     Paperback Book   (Knjiga z mehkimi platnicami in lepljenim hrbtom)
Izdano 15. junija 2018
ISBN13 9789402414165
Založniki Springer
Strani 347
Dimenzije 150 × 220 × 10 mm   ·   522 g   (Teža (ocenjena))
Urednik Ishiwara, Hiroshi
Urednik Okuyama, Masanori
Urednik Park, Byung-Eun
Urednik Sakai, Shigeki
Urednik Yoon, Sung-Min

Več od istega **izdajatelja**