Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications - Topics in Applied Physics -  - Knjige - Springer Verlag, Singapore - 9789811512148 - 24. marca 2021
Če se naslovnica in naslov ne ujemata, je naslov pravilen

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications - Topics in Applied Physics Second Edition 2020 edition

Cena
€ 143,49

Naročeno iz oddaljenega skladišča

Predvidena dobava 22. - 30. okt
Dodaj na svoj seznam želja iMusic

Not rated yet

Na voljo tudi kot:

425 pages, 183 Illustrations, color; 130 Illustrations, black and white; XIV, 425 p. 313 illus., 183

Medij Knjige     Paperback Book   (Knjiga z mehkimi platnicami in lepljenim hrbtom)
Izdano 24. marca 2021
ISBN13 9789811512148
Založniki Springer Verlag, Singapore
Strani 425
Dimenzije 150 × 220 × 10 mm   ·   612 g
Urednik Ishiwara, Hiroshi
Urednik Okuyama, Masanori
Urednik Park, Byung-Eun
Urednik Sakai, Shigeki
Urednik Yoon, Sung-Min

Več od istega **izdajatelja**